Самсунг запустила производство 256-гигабитной памяти 3D V-NAND

AUTHOR Рубрика: Техника,
0

В компании Самсунг сказали, что в массовое производство поступила флеш-память типа 3D Vertical NAND, которая является первой в мире индустриальной памятью объемом в 256 Гб.

Руководство Самсунг полагает, что новые чипы позитивно отразятся на продажах твердотельных накопителей в корпоративном сегменте.

Плотность записи данных для новоиспеченной флэш-памяти 256Гб 3D V-NAND от Самсунг вдвое превосходит идентичные показатели обычных чипов флэш-памяти 128 Гб NAND. Новинка имеет технологию 3D V-NAND и найдет свое назначение в больших корпорациях, а еще data-центрах. Эта модель обеспечивает быструю скорость передачи данных и емкость 3,2 ТБ либо 6,4 ТБ. «Другими словами, объем данных 256 Гб умещается на чипе, который можно расположить на кончике пальца», — пояснили в компании.

Как отмечают уполномоченные Самсунг, нынешние чипы V-NAND по сравнению с предшествующим поколением на 30% не менее эффективны по потреблению электрической энергии.

При создании нового решения применялся 14-нанометровый литографический процесс, технология вертикальной компоновки BiCS (Bit Cost Scaling) и запись 3-х бит данных на транзистор (triple-level cell, TLC). Изделия ориентированы на применение в твердотельных дисках сверхвысокой емкости.

Samsung начала производство новой памяти для корпоративных SSD

»
Если понравился пост - твитните, буду благодарен.

Ваш отзыв